2SK3811-ZP-E1-AY
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
耗散功率 1.5W Ta, 213W Tc
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 17700pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
耗散功率Max 1.5W Ta, 213W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK3811-ZP-E1-AY引脚图
2SK3811-ZP-E1-AY封装图
2SK3811-ZP-E1-AY封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK3811-ZP-E1-AY | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans MOSFET N-CH 40V 110A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |