2STA2120中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
极性 PNP
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 17A
最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
2STA2120引脚图与封装图 
2STA2120引脚图
2STA2120封装图
2STA2120封装焊盘图
在线购买2STA2120
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2STA2120 | ST Microelectronics 意法半导体 | 高功率PNP外延平面双极transistorl High power PNP epitaxial planar bipolar transistorl | 搜索库存 |
替代型号2STA2120
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2STA2120 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-3P PNP 200W | 当前型号 | 高功率PNP外延平面双极transistorl High power PNP epitaxial planar bipolar transistorl | 当前型号 |
| 型号： 2SA1962OTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P PNP 130000mW | 功能相似 | 2SA1962 系列 250 V CE 击穿 17 A PNP 外延硅 晶体管 TO-3P | 2STA2120和2SA1962OTU的区别 |
| 型号： FJA4213OTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P PNP -230V -15A 130W | 功能相似 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2STA2120和FJA4213OTU的区别 |