2N3700中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N3700引脚图与封装图 
2N3700引脚图
2N3700封装图
2N3700封装焊盘图
在线购买2N3700
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3700 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N3700 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N3700
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3700 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-18 NPN 80V 1A 0.5W | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N3700 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3700 品牌： 美高森美 封装： TO-206AA 0.5W | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3700和JANTX2N3700的区别 |
| 型号： JANTXV2N3700 品牌： 美高森美 封装： TO-18 500mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3700和JANTXV2N3700的区别 |