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2STW100

互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors

Do you have a circuit where a higher current gain is required? STMicroelectronics" NPN Darlington transistor can help! This product"s maximum continuous DC collector current is 25 A, while its minimum DC current gain is 300@20A@3 V|500@10A@3V|600@5A@3V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 1.2@20mA@5A|1.75@40mA@10A|3.5@80mA@20A V. This Darlington transistor array"s maximum base emitter saturation voltage is 3.3@80mA@20A V. Its maximum power dissipation is 130000 mW. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This Darlington transistor array has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V.

2STW100中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 130 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 25A

最小电流放大倍数hFE 500 @10A, 3V

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 130000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2STW100引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2STW100 ST Microelectronics 意法半导体 互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors 搜索库存
替代型号2STW100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2STW100

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 NPN 130000mW

当前型号

互补功率达林顿晶体管 Complementary power Darlington transistors

当前型号

型号: 2STW200

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 PNP 130000mW

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品牌: 意法半导体

封装: TO-218 NPN 80V 25A 130000mW

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品牌: 意法半导体

封装: SOT-32 NPN 40000mW

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