2N6123
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N6123中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 20 @1.5A, 2V
额定功率Max 40 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N6123引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6123
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6123 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-220 | 当前型号 | 80 V 4 A 40 W NPN 通孔 硅 功率 晶体管 - TO-220-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N6123LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-220 NPN 80V 4A | 2N6123和2N6123LEADFREE的区别 |