2N3055
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
2N3055中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 15.0 A
极性 NPN
耗散功率 115000 mW
击穿电压集电极-发射极 60.0 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 70
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 115000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
最小包装 100
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N3055引脚图与封装图
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在线购买2N3055
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3055 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号2N3055
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3055 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 15A 115W | 当前型号 | 互补硅功率晶体管 Complementary Silicon Power Transistors | 当前型号 |
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