2N3439中文资料参数规格
技术参数
频率 15 MHz
额定电压DC 450 V
额定电流 1.00 A
额定功率 1 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
集电极击穿电压 450 V
击穿电压集电极-发射极 350 V
最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 10000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
材质 Silicon
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N3439引脚图与封装图 
2N3439引脚图
2N3439封装图
2N3439封装焊盘图
在线购买2N3439
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3439 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N3439 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N3439
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3439 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39 NPN 450V 1A 10W | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N3439 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 40 hFE | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N3439 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3439和JANTXV2N3439的区别 |
| 型号： 2N3439L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 NPN 800mW | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N3439和2N3439L的区别 |