2N5415中文资料参数规格
技术参数
频率 15 MHz
额定电压DC -200 V
额定电流 -1.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1 W
增益频宽积 15 MHz
击穿电压集电极-发射极 200 V
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 150
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N5415引脚图与封装图 
2N5415引脚图
2N5415封装图
2N5415封装焊盘图
在线购买2N5415
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5415 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N5415
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5415 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39 PNP -200V -1A 1000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N5415 单晶体管 双极, PNP, -200 V, 15 MHz, 1 W, 1 A, 30 hFE | 当前型号 |
| 型号： 2N5416 品牌： 意法半导体 封装： TO-39 PNP -350V -1A 1000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS 2N5416 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 15 MHz, 10 W, -1 A, 30 hFE | 2N5415和2N5416的区别 |
| 型号： 2N5415LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-39 PNP 200V 1A | 2N5415和2N5415LEADFREE的区别 |