2N2369A
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N2369A中文资料参数规格
技术参数
频率 500 MHz
耗散功率 360 mW
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 200℃
耗散功率Max 360 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-18
外形尺寸
长度 5.84 mm
宽度 5.84 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-18
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N2369A引脚图与封装图 
2N2369A引脚图
2N2369A封装焊盘图
替代型号2N2369A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N2369A 品牌： Central Semiconductor 封装： TO-206AA | 当前型号 | 2N 系列 15 V 200 mA NPN 通孔 硅 晶体管 - TO-18 | 当前型号 |
| 型号： ALE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A IC, 15V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, | 2N2369A和ALE的区别 |