2SC5013-T1-A

California Eastern Laboratories 分立器件

射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 150mW Surface Mount SOT-343

得捷:
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN High Frequency

艾睿:
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION4-PIN SUPER MINIMOLD

安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 4-Pin SOT-343 T/R

Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-343

2SC5013-T1-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 9.5 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5013-T1-A引脚图与封装图

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