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2SC5012-T1-A

2SC5012-T1-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 4Pin SOT-343 T/R

* High gain bandwidth product: ft = 8 GHz * Low noise figure: 1.2 dB at 1 GHz 1.6 dB at 2 GHz * High associated gain: 15 dB at 1 GHz 12 dB at 2 GHz * Low cost


得捷:
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343


艾睿:
RF TRANSISTOR NPN SOT-343


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 4-Pin SOT-343 T/R


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-343


2SC5012-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 15 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 8V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 0.9 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC5012-T1-A引脚图与封装图
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