293D475X5025B2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 kV
电容 4.7 µF
等效串联电阻ESR 2.8 Ω
容差 ±5 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 3528
外形尺寸
封装 3528
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D475X5025B2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D475X5025B2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 293D475X5025B2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 4.7uF 25V B CASE 5% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 T/R | 搜索库存 |
替代型号293D475X5025B2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 293D475X5025B2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3528-21 4.7uF 200kV 5per | 当前型号 | Cap Tant Solid 4.7uF 25V B CASE 5% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 T/R | 当前型号 |
| 型号： 293D475X9025B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 4.7uF 200kV 10per | 类似代替 | VISHAY 293D475X9025B2TE3 表面贴装钽电容, TANTAMOUNT®, 293D系列, 4.7 µF, ± 10%, 25 V, 1411 [3528 公制], B | 293D475X5025B2TE3和293D475X9025B2TE3的区别 |
| 型号： 293D475X0025B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 4.7uF 20per 200kV | 类似代替 | 293D 系列 4.7 uF ±20 % 25 V 表面贴装 标准 模压 钽电容 | 293D475X5025B2TE3和293D475X0025B2TE3的区别 |
| 型号： 293D475X9016B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 4.7uF 1MV 10per | 功能相似 | VISHAY 293D475X9016B2TE3 钽电容, 4.7UF 16V 2.9Ω 10%, 3528-21, 整卷 | 293D475X5025B2TE3和293D475X9016B2TE3的区别 |