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2SC3357-T1-A

2SC3357-T1-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount SOT-89


得捷:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89


艾睿:
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin Power Mini-Mold Embossed T/R


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-89


2SC3357-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SC3357-T1-A引脚图与封装图
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在线购买2SC3357-T1-A
型号 制造商 描述 购买
2SC3357-T1-A California Eastern Laboratories Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存
替代型号2SC3357-T1-A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SC3357-T1-A

品牌: California Eastern Laboratories

封装: TO-243AA 1200mW

当前型号

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

当前型号

型号: NE85634-T1-A

品牌: California Eastern Laboratories

封装: TO-243AA 12V 100mA 2000mW

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NE856 系列 12 V 7 GHz NPN 硅 高频 晶体管 - Super SOT-323

2SC3357-T1-A和NE85634-T1-A的区别