2N4033中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
额定功率 800 mW
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
集电极击穿电压 -80.0 V min
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5-3
外形尺寸
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-5-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N4033引脚图与封装图 
2N4033引脚图
2N4033封装图
2N4033封装焊盘图
在线购买2N4033
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4033 | ST Microelectronics 意法半导体 | 通用放大器和开关 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH | 搜索库存 |
替代型号2N4033
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4033 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39 P-Channel -80V -1A 800mW | 当前型号 | 通用放大器和开关 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH | 当前型号 |
| 型号： JANS2N4033 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-39 | 2N4033和JANS2N4033的区别 |
| 型号： 2N4033LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-39 PNP 80V | 2N4033和2N4033LEADFREE的区别 |