2SK2315TYTR-E
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Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SK2315TYTR-E中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.00 A
耗散功率 1W Ta
输入电容 173 pF
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 173pF @10VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-243
外形尺寸
封装 TO-243
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK2315TYTR-E引脚图与封装图 
2SK2315TYTR-E引脚图
2SK2315TYTR-E封装图
2SK2315TYTR-E封装焊盘图
在线购买2SK2315TYTR-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK2315TYTR-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SK2315TYTR-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK2315TYTR-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： TO-243AA 60V 2A 173pF | 当前型号 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SK2315TYTR 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-243AA 60V 2A | 完全替代 | Mosfet n-Ch 60V 2A Upak | 2SK2315TYTR-E和2SK2315TYTR的区别 |
| 型号： 2SK2315TY 品牌： 日立 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 2A ID, 60V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2315TYTR-E和2SK2315TY的区别 |