2STBN15D100中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 70 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 750 @3A, 3V
额定功率Max 70 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 70000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2STBN15D100引脚图与封装图
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在线购买2STBN15D100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2STBN15D100 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2STBN15D100 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, 750 hFE | 搜索库存 |
替代型号2STBN15D100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2STBN15D100 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 NPN 70000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2STBN15D100 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 70 W, 12 A, 750 hFE | 当前型号 |
| 型号： 2STBN15D100T4 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK NPN 70000mW | 完全替代 | 低电压NPN功率达林顿晶体管 Low voltage NPN power Darlington transistor | 2STBN15D100和2STBN15D100T4的区别 |