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293D334X5035A2TE3

293D334X5035A2TE3

数据手册.pdf
293D334X5035A2TE3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 kV

电容 330 nF

等效串联电阻ESR 13 Ω

容差 ±5 %

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

293D334X5035A2TE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
293D334X5035A2TE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  293D334X5035A2TE3  电容, 0.33UF, 35VDC, 5-% TOL, 5+% Tol 搜索库存
替代型号293D334X5035A2TE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 293D334X5035A2TE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 3216-18 330nF 5per 300kV

当前型号

VISHAY  293D334X5035A2TE3  电容, 0.33UF, 35VDC, 5-% TOL, 5+% Tol

当前型号

型号: 293D334X9035A2TE3

品牌: 威世

封装: 3216-18 330nF 300kV 10per

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型号: 293D334X0035A2TE3

品牌: 威世

封装: 3216-18 330nF 20per 300kV

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品牌: 威世

封装: 3216-18 330nF 20per 200kV

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