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293D105X5025A2TE3

293D105X5025A2TE3

数据手册.pdf
293D105X5025A2TE3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 kV

电容 1 µF

等效串联电阻ESR 7.6 Ω

容差 ±5 %

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 3216

外形尺寸

封装 3216

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

293D105X5025A2TE3引脚图与封装图
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293D105X5025A2TE3 Vishay Semiconductor 威世 5%精度,25V,1uF,表面贴装钽电容,A型 搜索库存
替代型号293D105X5025A2TE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 293D105X5025A2TE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 3216-18 1uF 200kV 5per

当前型号

5%精度,25V,1uF,表面贴装钽电容,A型

当前型号

型号: 293D105X9025A2TE3

品牌: 威世

封装: 3216-18 1uF 200kV 10per

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293D105X5025A2TE3和293D105X9025A2TE3的区别

型号: 293D105X0025A2TE3

品牌: 威世

封装: 3216-18 1uF 200kV 20per

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