293D336X0004B2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 0.00 V
电容 33.0 µF
等效串联电阻ESR 2 Ω
容差 ±20 %
额定电压 4 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 3528
外形尺寸
封装 3528
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D336X0004B2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D336X0004B2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 293D336X0004B2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 33uF 4V 20% 1411 | 搜索库存 |
替代型号293D336X0004B2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： 293D336X0004B2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3528-21 33uF 20per 0V | 当前型号 | CAP TANT 33uF 4V 20% 1411 | 当前型号 |
| 型号： 293D336X9004B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 33uF 0V 10per | 类似代替 | Cap Tant Solid 33uF 4V B CASE 10% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 2Ω 125℃ T/R | 293D336X0004B2TE3和293D336X9004B2TE3的区别 |
| 型号： 293D336X5004B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 33uF 5per 0V | 类似代替 | CAP TANT 33uF 4V 5% 1411 | 293D336X0004B2TE3和293D336X5004B2TE3的区别 |
| 型号： 293D336X9010B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 33uF 1V 10per | 功能相似 | VISHAY 293D336X9010B2TE3 钽电容, 33uF 10%容差 10V | 293D336X0004B2TE3和293D336X9010B2TE3的区别 |