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2SC4093-T1-A

2SC4093-T1-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 4Pin Mini-Mold T/R

RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-143


得捷:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT143


贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency


艾睿:
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION4-PIN MINIMOLD


安富利:
NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILLATOR TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT


Win Source:
RF TRANSISTOR NPN SOT-143


2SC4093-T1-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 14.2 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC4093-T1-A引脚图与封装图
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