293D334X9025A2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 kV
电容 0.33 μF
等效串联电阻ESR 13 Ω
容差 ±10 %
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 1206
外形尺寸
封装 1206
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D334X9025A2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D334X9025A2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 293D334X9025A2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | CAP TANT 0.33uF 25V 10% 1206 | 搜索库存 |
替代型号293D334X9025A2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 293D334X9025A2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3216-18 330nF 10per 200kV | 当前型号 | CAP TANT 0.33uF 25V 10% 1206 | 当前型号 |
| 型号： 293D334X0025A2TE3 品牌： 威世 封装： 3216-18 330nF 20per 200kV | 类似代替 | CAP TANT 0.33uF 25V 20% 1206 | 293D334X9025A2TE3和293D334X0025A2TE3的区别 |
| 型号： 293D334X9035A2TE3 品牌： 威世 封装： 3216-18 330nF 300kV 10per | 功能相似 | VISHAY 293D334X9035A2TE3 钽电容, 0.33UF 35V 13 Ω 10 | 293D334X9025A2TE3和293D334X9035A2TE3的区别 |
| 型号： 293D334X5035A2TE3 品牌： 威世 封装： 3216-18 330nF 5per 300kV | 功能相似 | VISHAY 293D334X5035A2TE3 电容, 0.33UF, 35VDC, 5-% TOL, 5+% Tol | 293D334X9025A2TE3和293D334X5035A2TE3的区别 |