293D684X9035B2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 kV
电容 0.68 µF
等效串联电阻ESR 6.5 Ω
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 3528
外形尺寸
宽度 2.8 mm
高度 1.9 mm
封装 3528
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D684X9035B2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D684X9035B2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 293D684X9035B2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Cap Tant Solid 0.68uF 35V B CASE 10% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 6.5Ω 125℃ T/R | 搜索库存 |
替代型号293D684X9035B2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 293D684X9035B2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3528-21 680nF 300kV 10per | 当前型号 | Cap Tant Solid 0.68uF 35V B CASE 10% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 6.5Ω 125℃ T/R | 当前型号 |
| 型号： 293D684X0035B2TE3 品牌： 威世 封装： 3528-21 680nF 300kV 20per | 类似代替 | Cap Tant Solid 0.68uF 35V B CASE 20% 3.5 X 2.8 X 1.9mm SMD 3528-21 6.5Ω 125℃ T/R | 293D684X9035B2TE3和293D684X0035B2TE3的区别 |