293D684X0035A2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 kV
电容 0.68 μF
等效串联电阻ESR 7.6 Ω
容差 ±20 %
工作温度Max 125 ℃
额定电压 35 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 1206
外形尺寸
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 1206
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D684X0035A2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D684X0035A2TE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 293D684X0035A2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 0.68 uf 20 % 容差 35 V 3216 钽电容 | 搜索库存 |
替代型号293D684X0035A2TE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 293D684X0035A2TE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 3216-18 680nF 20per 300kV | 当前型号 | 0.68 uf 20 % 容差 35 V 3216 钽电容 | 当前型号 |