频率 100 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 5 W
增益频宽积 100 MHz
集电极击穿电压 140 V
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-5-3
长度 9.4 mm
宽度 9.4 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-5-3
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
2N3019引脚图
2N3019封装图
2N3019封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N3019 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N3019 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 5 W, 1 A, 100 hFE | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3019 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-39 NPN 140V 1A 800mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N3019 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 5 W, 1 A, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N3019S 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3019和JANTX2N3019S的区别 |
| 型号： JANTXV2N3019 品牌： 美高森美 封装： TO-39 800mW | 功能相似 | 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | 2N3019和JANTXV2N3019的区别 |
