2SK4093TZ-E

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

通孔 N 通道 250V 1A（Ta） 900mW（Ta） TO-92MOD

得捷:
MOSFET N-CH 250V 1A TO92MOD

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3-Pin TO-92 Mod Box

2SK4093TZ-E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 900mW Ta

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 140pF @25VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK4093TZ-E引脚图与封装图

2SK4093TZ-E引脚图

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