极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 150 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5086TF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-226-3 PNP | 当前型号 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3Pin TO-92 T/R | 当前型号 | |
型号: 2N5086BU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -50V -100mA | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk | 2N5086TF和2N5086BU的区别 | |
型号: 2N5086TA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -50V -100mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor General Purpose | 2N5086TF和2N5086TA的区别 | |
型号: 2N5086 品牌: Micro Electronics 封装: | 功能相似 | PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS | 2N5086TF和2N5086的区别 |