2SJ377TE16R1,NQ
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Toshiba
东芝
分立器件
2SJ377TE16R1,NQ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.00 A
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 630pF @10VVds
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2SJ377TE16R1,NQ引脚图与封装图 
2SJ377TE16R1,NQ引脚图
2SJ377TE16R1,NQ封装图
2SJ377TE16R1,NQ封装焊盘图
在线购买2SJ377TE16R1,NQ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ377TE16R1,NQ | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab New PW-Mold T/R | 搜索库存 |
替代型号2SJ377TE16R1,NQ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SJ377TE16R1,NQ 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-252-3 60V 5A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab New PW-Mold T/R | 当前型号 |
| 型号： TJ8S06M3LT6L1,NQ 品牌： 东芝 封装： | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 60V 8A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 2SJ377TE16R1,NQ和TJ8S06M3LT6L1,NQ的区别 |
| 型号： 2SJ527S-E 品牌： 瑞萨电子 封装： DPAKS/TO-252 | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab DPAKS | 2SJ377TE16R1,NQ和2SJ527S-E的区别 |