
漏源极电阻 7.50 Ω
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541900000
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7008-G 品牌: Supertex 超科 封装: TO-92 N-Channel 7.5ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3Pin TO-92 | 当前型号 | |
型号: 2N7000 品牌: Diotec Semiconductor 封装: TO-92 | 类似代替 | N沟道 60V 200A | 2N7008-G和2N7000的区别 | |
型号: 2N7002,215 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | 2N7008-G和2N7002,215的区别 | |
型号: BSS123,215 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装 | 2N7008-G和BSS123,215的区别 |