2STD1360T4中文资料参数规格
技术参数
频率 130 MHz
极性 NPN
耗散功率 15 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 15000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.2 mm
宽度 6.6 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2STD1360T4引脚图与封装图
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在线购买2STD1360T4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2STD1360T4 | ST Microelectronics 意法半导体 | 低压快速开关NPN功率晶体管 Low voltage fast-switching NPN power transistors | 搜索库存 |
替代型号2STD1360T4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2STD1360T4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： DPAK NPN 15W | 当前型号 | 低压快速开关NPN功率晶体管 Low voltage fast-switching NPN power transistors | 当前型号 |
| 型号： MJD200T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 NPN 25V 5A 1400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD200T4G 单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE | 2STD1360T4和MJD200T4G的区别 |
| 型号： MJD200G 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MJD200G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE | 2STD1360T4和MJD200G的区别 |
| 型号： MJD200RLG 品牌： 安森美 封装： TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW | 功能相似 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | 2STD1360T4和MJD200RLG的区别 |