2SJ646-TL-E

ON Semiconductor 安森美分立器件

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 3Pin2+Tab TP-FA

Amplify electronic signals and switch between them with the help of "s power MOSFET.

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2SJ646-TL-E

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Amplify electronic signals and switch between them with the help of ON Semiconductor&s;s 2SJ646-TL-E power MOSFET.

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 3-Pin2+Tab TP-FA

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GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS

2SJ646-TL-E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 510pF @10VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TP-FA

外形尺寸

封装 TP-FA

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SJ646-TL-E引脚图与封装图

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