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2STD1665T4

2STD1665T4

数据手册.pdf

NPN 功率晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

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低压快开关NPN功率晶体管


得捷:
TRANS NPN 65V 6A DPAK


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STMicroelectronics 2STD1665T4 , NPN 晶体管, 6 A, Vce=65 V, HFE:30, 3引脚 DPAK TO-252封装


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单晶体管 双极, NPN, 65 V, 15 W, 6 A, 320 hFE


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Trans GP BJT NPN 65V 6A 15000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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2STD1665T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 6.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 1V

额定功率Max 15 W

直流电流增益hFE 320

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, 工业, Power Management, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

2STD1665T4引脚图与封装图
2STD1665T4引脚图

2STD1665T4引脚图

2STD1665T4封装图

2STD1665T4封装图

2STD1665T4封装焊盘图

2STD1665T4封装焊盘图

在线购买2STD1665T4
型号 制造商 描述 购买
2STD1665T4 ST Microelectronics 意法半导体 NPN 功率晶体管,STMicroelectronics ### 双极晶体管,STMicroelectronics STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。 搜索库存
替代型号2STD1665T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2STD1665T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 NPN 150V 6A 15000mW

当前型号

NPN 功率晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。

当前型号

型号: MJD200T4G

品牌: 安森美

封装: TO-252 NPN 25V 5A 1400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

2STD1665T4和MJD200T4G的区别

型号: MJD200G

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE

2STD1665T4和MJD200G的区别

型号: MJD200RLG

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW

功能相似

互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

2STD1665T4和MJD200RLG的区别