2N6388中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 10.0 A
极性 NPN
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
额定功率Max 65 W
直流电流增益hFE 1000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 65000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
宽度 4.6 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6388引脚图与封装图
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在线购买2N6388
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6388 | ST Microelectronics 意法半导体 | 硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号2N6388
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6388 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 NPN 80V 10A 65000mW | 当前型号 | 硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N6388G 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 10A 2000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6388G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 2 W, 10 A, 100 hFE 新 | 2N6388和2N6388G的区别 |
| 型号： BDX33BG 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 NPN 80V 10A 70000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BDX33BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE | 2N6388和BDX33BG的区别 |