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2STF2280

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V

Thanks to STMicroelectronics, your circuit can handle high levels of voltage using the PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1400 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.

2STF2280中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

极性 PNP

耗散功率 1.4 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 1.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

2STF2280引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2STF2280 ST Microelectronics 意法半导体 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V 搜索库存
替代型号2STF2280
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2STF2280

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-243AA PNP 1400mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP LV High Perf PWR Trans - 80V

当前型号

型号: BUL381D

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 400V 5A 70000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  BUL381D  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 70 W, 3 A, 10 hFE

2STF2280和BUL381D的区别

型号: BUL89

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 400V 12A 110000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  BUL89  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 110 W, 12 A, 10 hFE

2STF2280和BUL89的区别

型号: BUL138

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 400V 5A 80000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  BUL138  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE

2STF2280和BUL138的区别