2SK208-GRTE85L,F
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
耗散功率 100 mW
击穿电压 50 V
输入电容Ciss 8.2pF @10VVds
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK208-GRTE85L,F | Toshiba 东芝 | JFET N-Ch SM Sig FET -50V NF 0.5dB -1nA -30V | 搜索库存 |