2SC3332S中文资料参数规格
技术参数
频率 120 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.7 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 700 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC3332S引脚图与封装图
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在线购买2SC3332S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC3332S | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管160V ， 0.7A ，低VCE （ sat）的NPN单NP Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP | 搜索库存 |
替代型号2SC3332S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC3332S 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-226-3 NPN | 当前型号 | 双极晶体管160V ， 0.7A ，低VCE （ sat）的NPN单NP Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP | 当前型号 |
| 型号： 2SC3332R 品牌： 安森美 封装： 3-SSIP | 功能相似 | 双极晶体管160V ， 0.7A ，低VCE （ sat）的NPN单NP Bipolar Transistor 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP | 2SC3332S和2SC3332R的区别 |
| 型号： 2SC3332-S 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | Bipolar Transistor, 160V, 0.7A, Low VCEsat NPN Single NP | 2SC3332S和2SC3332-S的区别 |