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293D475X0010B2TE3

293D475X0010B2TE3

数据手册.pdf
293D475X0010B2TE3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 V

电容 4.7 µF

等效串联电阻ESR 3.4 Ω

容差 ±20 %

纹波电流 0.12 A

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 3528

外形尺寸

长度 3.5 mm

宽度 2.8 mm

高度 1.9 mm

封装 3528

物理参数

介质材料 Tantalum

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

293D475X0010B2TE3引脚图与封装图
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293D475X0010B2TE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  293D475X0010B2TE3  钽电容, 4.7uF 10V 3.4Ω 3528-21 搜索库存
替代型号293D475X0010B2TE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 293D475X0010B2TE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 3528-21 4.7uF 1V 20per

当前型号

VISHAY  293D475X0010B2TE3  钽电容, 4.7uF 10V 3.4Ω 3528-21

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型号: 293D475X9010B2TE3

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封装: 3528-21 4.7uF 1V 10per

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品牌: 威世

封装: 3528-21 4.7uF 5per 1V

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