293D685X9025C2TE3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 kV
电容 6.8 µF
等效串联电阻ESR 1.7 Ω
容差 ±10 %
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 25 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 6032-28
封装 6032
外形尺寸
长度 6 mm
宽度 3.2 mm
高度 2.5 mm
封装公制 6032-28
封装 6032
物理参数
介质材料 Tantalum
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
293D685X9025C2TE3引脚图与封装图
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在线购买293D685X9025C2TE3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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293D685X9025C2TE3 | Vishay Semiconductor 威世 | 293D 系列 6.8 uF ±10 % 25 V 表面贴装 标准 模压 钽电容 | 搜索库存 |
替代型号293D685X9025C2TE3
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 293D685X9025C2TE3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: 6032-28 6.8uF 200kV 10per | 当前型号 | 293D 系列 6.8 uF ±10 % 25 V 表面贴装 标准 模压 钽电容 | 当前型号 | |
型号: 293D685X0025C2TE3 品牌: 威世 封装: 6032-28 6.8uF 200kV 20per | 类似代替 | 293D 系列 6.8 uF ±20 % 25 V 表面贴装 标准 模压 钽电容 | 293D685X9025C2TE3和293D685X0025C2TE3的区别 |