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2SA1213-Y-TP

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Trans GP BJT PNP 50V 2A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

晶体管 - 双极 BJT - 单 PNP 100MHz 表面贴装型 SOT-89


得捷:
TRANS PNP 50V 2A SOT89


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile PNP 2SA1213-Y-TP GP BJT from Micro Commercial Components. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT89


2SA1213-Y-TP中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

2SA1213-Y-TP引脚图与封装图
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