极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 170 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 170 @150mA, 10V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2PB1219AS,135 | NXP 恩智浦 | SC-70 PNP 50V 0.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2PB1219AS,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-70 PNP 200mW | 当前型号 | SC-70 PNP 50V 0.5A | 当前型号 | |
型号: 2PB1219AS,115 品牌: 恩智浦 封装: SC70 PNP 200mW | 完全替代 | SC-70 PNP 50V 0.5A | 2PB1219AS,135和2PB1219AS,115的区别 | |
型号: 2PB1219AS/T3 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | Semiconductors and Actives, pnp, Transistors, transistor, Discretes diodes, transistors, thyristors ... | 2PB1219AS,135和2PB1219AS/T3的区别 |