2SA1179N6-CPA-TB-E中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
额定功率Max 200 mW
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SA1179N6-CPA-TB-E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 2SA1179N6-CPA-TB-E | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 预偏置 BIP PNP 0.15A 50V | 搜索库存 |