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2SC2812N6-TB-E

2SC2812N6-TB-E

数据手册.pdf

SC-59 NPN 50V 0.15A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 200mW Surface Mount 3-CP


得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A 3CP


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.15A 50V


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R


Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A CP


2SC2812N6-TB-E中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 135 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SC2812N6-TB-E引脚图与封装图
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