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2N7002_S00Z

2N7002_S00Z

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
2N7002_S00Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 115 mA

通道数 1

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2N7002_S00Z引脚图与封装图
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在线购买2N7002_S00Z
型号 制造商 描述 购买
2N7002_S00Z Fairchild 飞兆/仙童 Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存
替代型号2N7002_S00Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002_S00Z

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 N-Channel 60V 115mA 1.2ohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R

当前型号

型号: 2N7002-TP

品牌: 美微科

封装: SOT-23 N-Channel 60V 0.115A

功能相似

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS  2N7002-TP  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-23, 整卷

2N7002_S00Z和2N7002-TP的区别

型号: 2N7002-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: SOT-23

功能相似

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R

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