
额定电压DC 60.0 V
额定电流 115 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002_S00Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002_S00Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 115mA 1.2ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: 2N7002-TP 品牌: 美微科 封装: SOT-23 N-Channel 60V 0.115A | 功能相似 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 2N7002-TP 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA, SOT-23, 整卷 | 2N7002_S00Z和2N7002-TP的区别 | |
型号: 2N7002-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R | 2N7002_S00Z和2N7002-T1-E3的区别 |