额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400 mW
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N7000_D74Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 2N7000_D74Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 60V 200mA 1.2ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo | 当前型号 | |
型号: 2N7000G 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms 60pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | 2N7000_D74Z和2N7000G的区别 | |
型号: 2N7000RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 2N7000_D74Z和2N7000RLRAG的区别 | |
型号: ZVN3306A 品牌: 美台 封装: E-Line N-Channel 60V 270mA 5Ω 35pF | 功能相似 | ZVN3306A 系列 60 V 5 Ohm N-沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92 | 2N7000_D74Z和ZVN3306A的区别 |