2N5550G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 140 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 140 V
热阻 83.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5550G引脚图与封装图 
2N5550G引脚图
2N5550G封装图
2N5550G封装焊盘图
在线购买2N5550G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5550G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N5550G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5550G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA 625mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N5550G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 60 hFE | 当前型号 |
| 型号： 2N5550RLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA 625mW | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 2N5550G和2N5550RLRPG的区别 |
| 型号： 2N5550RLRP 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 2N5550G和2N5550RLRP的区别 |
| 型号： 2N5550RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 140V 600mA | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 2N5550G和2N5550RLRA的区别 |