2N5401RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N5401RLRA引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N5401RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5401RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号2N5401RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5401RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -150V -600mA | 当前型号 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： 2N5401RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -150V -600mA 625mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR 2N5401RLRAG 双极性晶体管 | 2N5401RLRA和2N5401RLRAG的区别 |
| 型号： 2N5401RLRMG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -150V -600mA | 完全替代 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 2N5401RLRA和2N5401RLRMG的区别 |
| 型号： 2N5401ZL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -150V -600mA | 完全替代 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | 2N5401RLRA和2N5401ZL1G的区别 |