2N4124G中文资料参数规格
技术参数
频率 300 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
热阻 83.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 1V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/01/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N4124G引脚图与封装图
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在线购买2N4124G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N4124G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号2N4124G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N4124G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 25V 200mA 625mW | 当前型号 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： 2N4124TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 25V 200mA | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose | 2N4124G和2N4124TF的区别 |
| 型号： 2N4124 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 25V 200mA 625mW | 类似代替 | 通用晶体管 General Purpose Transistors | 2N4124G和2N4124的区别 |