24LC32AT-E/MNY
数据手册.pdfMicrochip(微芯)
主动器件
24LC32AT-E/MNY中文资料参数规格
技术参数
时钟频率 400 kHz
存取时间 900 ns
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDFN-8
外形尺寸
高度 0.73 mm
封装 TDFN-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
24LC32AT-E/MNY引脚图与封装图 
24LC32AT-E/MNY引脚图
24LC32AT-E/MNY封装图
24LC32AT-E/MNY封装焊盘图
在线购买24LC32AT-E/MNY
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 24LC32AT-E/MNY | Microchip 微芯 | 32K I2C ™串行EEPROM 32K I2C™ Serial EEPROM | 搜索库存 |
替代型号24LC32AT-E/MNY
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 24LC32AT-E/MNY 品牌： Microchip 微芯 封装： 8TDFN | 当前型号 | 32K I2C ™串行EEPROM 32K I2C™ Serial EEPROM | 当前型号 |
| 型号： 24LC32A-E/SN 品牌： 微芯 封装： SOIC 32000B 5V 400kHz 8Pin | 完全替代 | 24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA32A 设备）、2.5 V（用于 24LC32A 设备） 低功率 CMOS 技术：有源电流 1mA（典型）、待机电流 1μA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5 ms 最大 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip | 24LC32AT-E/MNY和24LC32A-E/SN的区别 |
| 型号： 24LC32AT-E/OT 品牌： 微芯 封装： 5SOT-23 | 类似代替 | 24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA32A 设备）、2.5 V（用于 24LC32A 设备） 低功率 CMOS 技术：有源电流 1mA（典型）、待机电流 1μA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5 ms 最大 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip | 24LC32AT-E/MNY和24LC32AT-E/OT的区别 |
| 型号： 24LC32A/P 品牌： 微芯 封装： DIP 4000B 5V 2MHz 8Pin | 功能相似 | MICROCHIP 24LC32A/P EEPROM, AEC-Q100, 32 Kbit, 4K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚 | 24LC32AT-E/MNY和24LC32A/P的区别 |