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24LC04BHT-I/MNY

24LC04BHT-I/MNY

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

4K I2C ™串行EEPROM，带有半阵列写保护 4K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

EEPROM Memory IC 4Kb 256 x 8 x 2 I²C 400kHz 900ns 8-TDFN 2x3


得捷:
IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8TDFN


立创商城:
24LC04BHT I/MNY


贸泽:
EEPROM 4K 512 X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP


艾睿:
EEPROM Serial-I2C 4K-bit 2Block x 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin TDFN EP T/R


Allied Electronics:
4K, 512 X 8 2.5V SERIAL EE, IND, 1/2 ARRAY WP


Chip1Stop:
EEPROM Serial-I2C 4K-bit 2Block x 256 x 8 3.3V/5V 8-Pin TDFN EP T/R


24LC04BHT-I/MNY中文资料参数规格
技术参数

存取时间 900 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 3 mm

高度 0.73 mm

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

24LC04BHT-I/MNY引脚图与封装图
24LC04BHT-I/MNY引脚图

24LC04BHT-I/MNY引脚图

24LC04BHT-I/MNY封装图

24LC04BHT-I/MNY封装图

24LC04BHT-I/MNY封装焊盘图

24LC04BHT-I/MNY封装焊盘图

在线购买24LC04BHT-I/MNY
型号 制造商 描述 购买
24LC04BHT-I/MNY Microchip 微芯 4K I2C ™串行EEPROM，带有半阵列写保护 4K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect 搜索库存
替代型号24LC04BHT-I/MNY
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 24LC04BHT-I/MNY

品牌： Microchip 微芯

封装： TDFN-8

当前型号

4K I2C ™串行EEPROM，带有半阵列写保护 4K I2C™ Serial EEPROM with Half-Array Write-Protect

当前型号

型号： 24LC04B-I/SN

品牌： 微芯

封装： SOIC 500B 5V 400kHz 8Pin

完全替代

MICROCHIP  24LC04B-I/SN  芯片, 串口EEPROM 4K

24LC04BHT-I/MNY和24LC04B-I/SN的区别

型号： 24LC04B-I/P

品牌： 微芯

封装： DIP 500B 5V 400kHz 8Pin

完全替代

MICROCHIP  24LC04B-I/P  EEPROM, AEC-Q100, 4 Kbit, 2 BLK 256K x 8位, 400 kHz, I2C, DIP, 8 引脚

24LC04BHT-I/MNY和24LC04B-I/P的区别

型号： 24LC04B-I/MS

品牌： 微芯

封装： MSOP 500B 5V 2MHz 8Pin

完全替代

24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms（典型） 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24LC04BHT-I/MNY和24LC04B-I/MS的区别