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25AA512-I/SN

25AA512-I/SN

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

25AA512 系列 512 Kb 64 K x 8 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROM

的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。

使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。

### 特点

20 MHz 最大时钟速度

字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区

128 字节页面

最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz

读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz

待机电流:1μA @ 2.5V(深断电)

电子签名,用于设备 ID

自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型)

扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列

内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚

耐受性:1 百万次擦除/写入周期

数据保留:>200 年

ESD 保护:>4000V

### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA512-I/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 2 MHz

电源电压DC 1.80V min

工作电压 1.8V ~ 5.5V

供电电流 7 mA

时钟频率 20 MHz

存取时间 6 ms

内存容量 64000 B

输入电容 7 pF

上升时间 20 ns

下降时间 20 ns

存取时间Max 250 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8542320051

25AA512-I/SN引脚图与封装图
25AA512-I/SN引脚图

25AA512-I/SN引脚图

25AA512-I/SN封装图

25AA512-I/SN封装图

25AA512-I/SN封装焊盘图

25AA512-I/SN封装焊盘图

在线购买25AA512-I/SN
型号 制造商 描述 购买
25AA512-I/SN Microchip 微芯 25AA512 系列 512 Kb 64 K x 8 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8 搜索库存
替代型号25AA512-I/SN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 25AA512-I/SN

品牌: Microchip 微芯

封装: 8SOICN 64000B 1.8V 20MHz 8Pin

当前型号

25AA512 系列 512 Kb 64 K x 8 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - SOIC-8

当前型号

型号: SST25VF512A-33-4C-SAE

品牌: 微芯

封装: SOIC 64000B 2.7V 8Pin

类似代替

SST25VF512A 串行 SPI SuperFlash® 存储器### 闪存,Microchip

25AA512-I/SN和SST25VF512A-33-4C-SAE的区别

型号: 25A512-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 64000B 1.7V 10MHz 8Pin

类似代替

MICROCHIP  25A512-I/SN  EEPROM, 512 Kbit, 64K x 8位, 10 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

25AA512-I/SN和25A512-I/SN的区别