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25LC512-E/SN

25LC512-E/SN

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROM

的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。

使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。

### 特点

20 MHz 最大时钟速度

字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区

128 字节页面

最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz

读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz

待机电流:1μA @ 2.5V(深断电)

电子签名,用于设备 ID

自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型)

扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列

内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚

耐受性:1 百万次擦除/写入周期

数据保留:>200 年

ESD 保护:>4000V

### EEPROM 串行存取 - Microchip

25LC512-E/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

电源电压DC 2.50V min

供电电流 5 mA

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

存取时间 50 ns

内存容量 64000 B

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8542320051

25LC512-E/SN引脚图与封装图
25LC512-E/SN引脚图

25LC512-E/SN引脚图

25LC512-E/SN封装图

25LC512-E/SN封装图

25LC512-E/SN封装焊盘图

25LC512-E/SN封装焊盘图

在线购买25LC512-E/SN
型号 制造商 描述 购买
25LC512-E/SN Microchip 微芯 25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip 搜索库存
替代型号25LC512-E/SN
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 25LC512-E/SN

品牌: Microchip 微芯

封装: SOIC 64000B 2.5V 20MHz 8Pin

当前型号

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

当前型号

型号: 25LC512T-E/SN

品牌: 微芯

封装: 8SOIC

完全替代

25LC512系列 512 Kb 64Kx8 I2C 串行总线 SOIC-8 电可擦除PROM 扩展温度 卷盘

25LC512-E/SN和25LC512T-E/SN的区别

型号: 25LC512-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC 64000B 2.5V 20MHz 8Pin

类似代替

MICROCHIP  25LC512-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚

25LC512-E/SN和25LC512-I/SN的区别

型号: 25LC512T-I/SN

品牌: 微芯

封装: SOIC-8 64000B 2.5V 20MHz 8Pin

类似代替

MICROCHIP  25LC512T-I/SN  芯片, 存储器, EEPROM, 512KB, 串行口 20MHZ SOIC-8, 整卷

25LC512-E/SN和25LC512T-I/SN的区别